Томский государственный педагогический университет

Тютерев Валерий Григорьевич

ТютеревДолжность: научный сотрудник ОииР.

Учёная степень: доктор физико-математических наук.
Учёное звание: профессор.

 

 

 

 

 

Научная и профессиональная деятельность

Образование: Томский государственный университет (1966).                                                          Специальность: физика. Квалификация: физик.

Преподаваемые курсы:

  • Общая физика.
  • Современная физика. Строение вещества.
  • Физика твердых тел.

Область научных интересов:

  • Теория твердого тела.
  • Физика полупроводников и полупроводниковых наноструктур.
  • Получение ab initio данных, необходимых для численного моделирования электрического, термического и спинового транспорта в полупроводниковых приборных структурах.

Общий стаж работы: 54 года.

Основные научные публикации за последние 5 лет:

1.   S.N. Grinyaev, L.N. Nikitina, V.G. Tyuterev, «Effects of size quantization in the spectra and Γ M transitions in (GaAs)m(AlAs)n(001) superlattices» Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, v. 103, pp. 180–187, 2018. 

DOI: https://doi.org/10.1016/j.physe.2018.05.034

2. V.G. Tyuterev, V.P.Zhukov, E.V.Chulkov, «Quasi-equilibrium distribution of carriers in wide-gap semiconductors excited by a high-energy irradiation». Proceedings of 18th Semiconductor Science and Technology Conference CSSTC-18, August 20-24, Waterloo, Canada, pp. 64-65, 2017.

3.   Тютерев В.Г. «AB INITIO теория электрон-фононных процессов в полупроводниках», LAP  LAMBERT Academic Publishing RU, Bahnhofstrase 28, D 66111, Saarbrucken, Germany,ISBN 978-620-2-05218-4, 2017, 118 с.

4.      V G Tyuterev, V P Zhukov, P M Echenique, E V Chulkov,"Electron-phonon relaxation and excited electron distribution in gallium nitride" , Journal of Applied Physics 120, 085708- 085708(8), 2016.         DOI: 10.1063/1.4961874.

5.      S. N. Grinyaev , L. N. Nikitina, V.G.Tyuterev, “ Intervalley scattering of electrons by short-wave phonons in (GaAs)8(AlAs)8(001)superlattice”, Superlattices and Microstructures,v. 93,pp 280-289,2016.          DOI: doi:10.1016/j.spmi.2016.03.008.

6.      V G Tyuterev, V P Zhukov, P M Echenique, E V Chulkov, “Relaxation of highly excited carriers in wide-gap semiconductors”, J. Phys.: Condens. Matter, V.27,p. 025801,  2015. DOI:10.1088/0953-984/27/2/025801

7.      V G Tyuterev, V P Zhukov, P M Echenique, E V Chulkov, "Electron-phonon relaxation and excited electron distribution in gallium nitride", arXiv:1512.00584v1 [cond-mat.mtrl-sci], 2014.

8.      Zafari Umar,   Permiakova M.Yu., Tyuterev V.G, The electron structure of MgO@64 single well nanotube, ”Dushanbe Symposium on Computational Materials and Biological Sciences” Dushanbe, September 23 – 28, 2014, Book of Abstracts,pp. 52-54, 2014.

9.      Новикова О. Л., Тютерев В. Г. Разработка методики мониторинга по курск «Общая и экспериментальная физика» с применением дистанционного обучения, Вестн. Томского гос. пед. ун-та (Tomsk State Pedagogical University Bulletin). 2014. Вып. 5 (146). - С. 45-58.: 2014

10.  S. N. Grinyaev , L. N. Nikitina, Tyuterev, V.G., Electron–Phonon Interaction in Short_Period (GaAs)m(AlAs)n (001) Superlattices, Semiconductors, Vol. 48, No. 3, pp. 320–331. 2014,              DOI:10.1134/S1063782614030129

11.  V. P. Zhukov, V. G. Tyuterev, E. V. Chulkov, and P.M. Echenique,” Hole-Phonon Relaxation and Photocatalytic Properties of Titanium Dioxide and Zinc Oxide: First- Principles Approach”, International Journal of Photoenergy V 2014, Article ID 738921, 12 pages,  2014.             DOI:10.1155/2014/738921.

12.  Гриняев С.Н., Никитина Л.Н. , Тютерев В.Г., Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n (001), Физика и техника полупроводников, т. 48, вып. 3, с.334-344, 2014.

Подготовка кандидатов и докторов наук:

В декабре 2015 г. соискателем Обуховым С.В. под руководством Тютерева В.Г. защищена кандидатская диссертация «ABINITIO теория электрон-фононных процессов в полупроводниковых кристаллах».

 Работа в диссертационных советах:

Член Ученого совета Д 212.267.07 по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников».

Награды и почетные звания:

  • Лауреат Конкурса Томской области в сфере образования и науки (2008). 
  • Медаль ТГПУ «За заслуги в области образования» (2009).

Контакты:

Адрес: Томск, пр. Комсомольский, 75, каб. 106 улк.
Телефон: (382-2) 311-351. Телефон внутренней связи: 1122.

e-mail: tyuterev@gmail.com

 

 

Путеводитель по сайту

Чтобы сообщить о найденной на сайте ошибке - выделите текст ошибки и нажмите CTRL + ENTER